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作者:  Peng YS (Peng Yin-Sheng);  Ye XL (Ye Xiao-Ling);  Xu B (Xu Bo);  Niu JB (Niu Jie-Bin);  Jia R (Jia Rui);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Liang S (Liang Song);  Yang XH (Yang Xiao-Hong);  Peng, YS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cynthia@semi.ac.cn
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水汽探测用激光芯片的制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102364771A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  于红艳;  周旭亮;  邵永波;  王宝军;  潘教青;  王圩
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聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196156.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王宝军;  朱洪亮;  赵玲娟;  王圩;  潘教青;  梁松;  边静;  安心;  王伟;  周代兵
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提高聚合物太阳电池效率的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010554257.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  谭海仁;  张兴旺;  高红丽;  白一鸣;  张秀兰;  尹志岗
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异质掩埋激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196147.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王宝军;  朱洪亮;  赵玲娟;  王圩;  潘教青;  陈娓兮;  梁松;  边静;  安心;  王伟
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采用宽脉冲激光器光源扫描辐照制作黑硅材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910078864.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  梁松;  朱洪亮;  林学春;  韩培德;  王宝华
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一种制作黑硅材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910078865.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  朱洪亮;  梁松;  韩培德;  林学春;  王宝华
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量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102162968A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  邵永波;  赵玲娟;  于红艳;  潘教青;  王宝军;  王圩
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一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102364772A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  于红艳;  周旭亮;  邵永波;  王宝军;  潘教青;  王圩
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倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102243994A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  周旭亮;  于红艳;  王宝军;  潘教青;  王圩
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