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| III-V族半导体纳米线及其异质结的可控生长和性能表征 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2018
作者: 季祥海
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Iii-v族半导体纳米线 异质结纳米线 自催化生长机制 金属有机化学气相沉积 |
| GaN基HEMT器件材料的生长技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 吉泽生
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| 用于重金属铅离子检测的HEMT基生物传感器 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 牛吉强
Adobe PDF(2787Kb) | 收藏 | 浏览/下载：541/24 | 提交时间：2016/06/03 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hai-Ming Ji; Baolai Liang; Paul J. Simmonds; Bor-Chau Juang; Tao Yang; Robert J. Young; Diana L.Huffaker
Adobe PDF(1308Kb) | 收藏 | 浏览/下载：286/0 | 提交时间：2016/03/22 |
| 基于半导体集成器件的全光信号处理技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者: 邱吉芳
Adobe PDF(5114Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1085/46 | 提交时间：2012/11/26 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wei SL (Wei Shile); Wu J (Wu Jian); Zhao LJ (Zhao Lingjuan); Yao C (Yao Chen); Ji C (Ji Chen); Lu D (Lu Dan); Zhang XL (Zhang Xilin); Yin ZS (Yin Zuoshan)
Adobe PDF(637Kb) | 收藏 | 浏览/下载：910/239 | 提交时间：2013/04/02 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 肖海波; 曾湘波; 刘石勇 ; 彭文博; 石明吉; 张长沙
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| 有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910076560.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张长沙; 王占国; 石明吉; 彭文博; 刘石勇; 肖海波; 廖显伯; 孔光临; 曾湘波
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| 硅基薄膜叠层太阳能电池隧道结的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910078560.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 石明吉; 曾湘波; 王占国; 刘石勇; 彭文博; 肖海波; 张长沙
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| 硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 杨涛; 杜文娜; 杨晓光; 王小耶; 季祥海; 王占国
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