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| 基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵永梅; 孙国胜; 刘兴昉; 李家业; 王雷; 赵万顺; 李晋闽; 曾一平 Adobe PDF(365Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1589/230  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 李家业; 赵永梅; 刘兴昉 Adobe PDF(685Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1395/186  |  提交时间:2009/06/11 |
| 用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘兴昉; 孙国胜; 李晋闽; 赵永梅; 王雷; 赵万顺; 李家业; 曾一平 Adobe PDF(494Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1490/218  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04 发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 李家业; 赵永梅; 刘兴昉 Adobe PDF(730Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1330/167  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 李家业; 赵永梅; 刘兴昉 Adobe PDF(682Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1190/158  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(1125Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1071/150  |  提交时间:2009/06/11 |
| 降低磷离子注入(0001)取向的4H-碳化硅电阻率的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 高欣; 孙国胜; 李晋闽; 王雷; 赵万顺 Adobe PDF(499Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1437/188  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 杜伟; 许兴胜; 孙增辉; 鲁琳; 高俊华; 赵致民; 王春霞; 陈弘达 Adobe PDF(818Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:872/228  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 许兴胜; 熊志刚; 孙增辉; 杜伟; 鲁琳; 陈弘达; 金爱子; 张道中 Adobe PDF(417Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:888/268  |  提交时间:2010/11/23 |
| 竖直式离子注入碳化硅高温退火装置 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2005-11-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺 Adobe PDF(787Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1025/129  |  提交时间:2009/06/11 |