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用于电吸收调制半导体激光器高频封装的热沉 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李宝霞;  张靖;  杨华;  王圩
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang XW;  Xia JB;  Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang XW;  Fan WJ;  Li SS;  Xia JB;  Zhang, XW, Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore. 电子邮箱地址: zhxw99@semi.ac.cn;  ewjfan@ntu.edu.sg
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng, ZS (Zheng Zhong-Shan);  Zhang, EX (Zhang En-Xia);  Liu, ZL (Liu Zhong-Li);  Zhang, ZX (Zhang Zheng-Xuan);  Li, N (Li Ning);  Li, GH (Li Guo-Hua);  Zheng, ZS, Univ Jinan, Dept Phys, Jinan 250022, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, XW (Zhang, X. W.);  Fan, WJ (Fan, W. J.);  Li, SS (Li, S. S.);  Xia, JB (Xia, J. B.);  Zhang, XW, Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore. 电子邮箱地址: ewjfan@ntu.edu.sg
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, XW;  Fan, WJ;  Li, SS;  Xia, JB;  Zhang, XW, Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang XW (Zhang Xiu-Wen);  Fan WJ (Fan Wei-Jun);  Zheng YH (Zheng Yu-Hong);  Li SS (Li Shu-Shen);  Xia JB (Xia Jian-Bai);  Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhxw99@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang XW;  Fan WJ;  Li SS;  Xia JB;  Zhang, XW, Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore. 电子邮箱地址: ewjfan@ntu.edu.sg
Adobe PDF(565Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1200/377  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, XW;  Fan, WJ;  Li, SS;  Xia, JB;  Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhxw99@semi.ac.cn;  ewjfan@ntu.edu.sg
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang XW;  Fan WJ;  Li SS;  Xia JB;  Zhang, XW, Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore. 电子邮箱地址: ewjfan@ntu.edu.sg
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