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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [26]
作者
江德生 [1]
徐波 [1]
陈涌海 [1]
刘斌 [1]
文献类型
期刊论文 [11]
专利 [10]
会议论文 [4]
学位论文 [1]
发表日期
2009 [1]
2008 [3]
2007 [8]
2006 [5]
2005 [5]
1999 [1]
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语种
中文 [18]
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出处
半导体学报 [3]
MATERIALS ... [2]
Silicon Ca... [2]
APPLIED SU... [1]
JOURNAL OF... [1]
JOURNAL OF... [1]
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资助项目
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
张曾
;
张荣
;
谢自力
;
刘斌
;
修向前
;
李弋
;
傅德颐
;
陆海
;
陈鹏
;
韩平
;
郑有炓
;
汤晨光
;
陈涌海
;
王占国
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提交时间:2010/11/23
TO封装的垂直腔面发射激光器
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
徐桂芝
;
王欣
;
刘超
;
祝宁华
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浏览/下载:1178/199
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提交时间:2009/06/11
可调谐掺铒光纤环形腔激光器
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘超
;
张欣
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浏览/下载:1153/192
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提交时间:2009/06/11
八通道的光时分复用信号产生系统
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘超
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浏览/下载:948/153
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提交时间:2009/06/11
用于垂直腔面发射激光器TO封装用的管座
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘超
;
祝宁华
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浏览/下载:951/139
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提交时间:2009/06/11
半导体光电子器件芯片测试用的夹具
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘超
;
袁海庆
;
祝宁华
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang PF (Zhang, P. F.)
;
Liu XL (Liu, X. L.)
;
Wei HY (Wei, H. Y.)
;
Fan HB (Fan, H. B.)
;
Liang ZM (Liang, Z. M.)
;
Jin P (Jin, P.)
;
Yang SY (Yang, S. Y.)
;
Jiao CM (Jiao, C. M.)
;
Zhu QS (Zhu, Q. S.)
;
Wang ZG (Wang, Z. G.)
;
Zhang, PF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangpanf@semi.ac.cn
;
xlliu@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Micro-raman investigation of defects in a 4H-SiC homoepilayer
会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
;
Zhao, YM (Zhao, Y. M.)
;
Li, JY (Li, J. Y.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Luo, MC (Luo, M. C.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
;
Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1358/197
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提交时间:2010/03/29
Micro-raman
4h-sic
Defects
3c-inclusions
Triangle-shaped Inclusion
Epitaxial Layers
Silicon-carbide
Homoepitaxial growth of 4H-SiC multi-epilayers and its application to UV detection
会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Zhao, YM (Zhao, Y. M.)
;
Ning, J (Ning, J.)
;
Li, JY (Li, J. Y.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Luo, MC (Luo, M. C.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
;
Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Homoepitaxy
4h-sic
Multi-epilayer
Uv Detection
p(+)-pi-n(-)
Ultraviolet Photodetector
Epitaxial-growth
Vertical PIN ultraviolet photodetectors based on 4H-SiC homoepilayers
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Vancouver, CANADA, AUG 13-17, 2006
作者:
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
;
Ning, J (Ning, J.)
;
Zhao, YM (Zhao, Y. M.)
;
Luo, MC (Luo, M. C.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
;
Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1283/273
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提交时间:2010/03/29
Avalanche Photodiodes
Area