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The effect of low temperature GaAs nucleation on the growth of GaN on Silicon (001) during MOVPE process 会议论文
NITRIDE SEMICONDUCTORS, 482, BOSTON, MA, DEC 01-05, 1997
作者:  Zheng LX;  Liang JW;  Yang H;  Li JB;  Wang YT;  Xu DP;  Li XF;  Duan LH;  Hu XW;  Zheng LX Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zou LF;  Acosta-Ortiz SE;  Zou LX;  Regalado LE;  Sun DZ;  Wang ZG;  Zou LF,Ctr Invest Opt AC,Unidad Aguascalientes,Juan Montoro 207,Zona Ctr,Aguascalientes 20000,Ags,Mexico.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng LX;  Yang H;  Xu DP;  Wang XJ;  Li XF;  Li JB;  Wang YT;  Duan LH;  Hu XW;  Zheng LX,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: lxzheng@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu DP;  Yang H;  Zheng LX;  Wang XJ;  Duan LH;  Wu RH;  Xu DP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zou LF;  Acosta-Ortiz SE;  Zou LX;  Regalado LE;  Sun DZ;  Wang ZG;  Zou LF,Ctr Invest Opt AC,Unidad Aguascalientes,Juan Montoro 207,Zona Ctr,Aguascalientes 20000,Ags,Mexico. 电子邮箱地址: lfzou@ags.ciateq.mx
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Gas source molecular beam epitaxy and thermal stability of Si1-xGex/Si superlattice materials 会议论文
REVISTA MEXICANA DE FISICA, 44, OAXACA, MEXICO, JAN 11-16, 1998
作者:  Zou LF;  Acosta-Ortiz SE;  Zou LX;  Regalado LE;  Sun DZ;  Wang ZG;  Zou LF Ctr Invest Opt AC Unidad Aguascalientes Juan Montoro 207Zona Ctr Aguascalientes 20000 Ags Mexico. 电子邮箱地址: lfzou@ags.ciateq.mx
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Strain Relaxation  Heterostructures  
Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001) 会议论文
REVISTA MEXICANA DE FISICA, 44, OAXACA, MEXICO, JAN 11-16, 1998
作者:  Zou LF;  Acosta-Ortiz SE;  Zou LX;  Regalado LE;  Sun DZ;  Wang ZG;  Zou LF Ctr Invest Opt AC Unidad Aguascalientes Juan Montoro 207Zona Ctr Aguascalientes 20000 Ags Mexico.
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Electrical-properties  Ion-implantation  Regrowth  Silicon  Layers