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Pressure behavior of Te isoelectronic centers in S-rich ZnS1-xTex alloy 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 235 (2), GUILDFORD, ENGLAND, AUG 05-08, 2002
作者:  Li GH;  Fang ZL;  Su FH;  Ma BS;  Ding K;  Han HX;  Sou IK;  Ge WK;  Li GH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Optical-absorption  Zns-te  Transition  Edge  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen CY;  Chen WD;  Song SF;  Xu ZJ;  Liao XB;  Li GH;  Ding K;  Chen CY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Surface Phys,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Su FH;  Fang ZL;  Ma BS;  Ding K;  Li GH;  Chen W;  Li GH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: ghli@red.semi.ac.cn;  wchen@nomadics.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen CY;  Chen WD;  Li GH;  Song SF;  Ding K;  Xu ZJ;  Chen CY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Lab Surface Phys,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li GH;  Fang ZL;  Su FH;  Ma BS;  Ding K;  Han HX;  Sou IK;  Ge WK;  Li GH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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