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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao LP;  Han PD;  Mao X;  Fan YJ;  Hu SX;  Zhao CH;  Mi YH;  Han, PD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. pdhan@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Quan, YJ;  Han, PD;  Ran, QJ;  Zeng, FP;  Gao, LP;  Zhao, CH;  Quan, YJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fatreny@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(442Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1050/450  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ye ZC (Ye Zhicheng);  Han PD (Han Peide);  Zhao CH (Zhao Chunhua);  Quan YJ (Quan Yujun);  Lu XD (Lu Xiaodong);  Wu L (Wu Li);  Ye, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Qinghua E Rd Jia 35, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yzhch@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu, XD;  Han, PD;  Quan, YJ;  Ran, QJ;  Gao, LP;  Zeng, FP;  Zhao, CH;  Yu, JZ;  Lu, XD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lxd2211@sina.com.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang RX (Wang R. X.);  Xu SJ (Xu S. J.);  Djurisic AB (Djurisic A. B.);  Beling CD (Beling C. D.);  Cheung CK (Cheung C. K.);  Cheung CH (Cheung C. H.);  Fung S (Fung S.);  Zhao DG (Zhao D. G.);  Yang H (Yang H.);  Tao XM (Tao X. M.);  Xu, SJ, Univ Hong Kong, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. E-mail: sjxu@hkucc.hku.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Song L (Song Li);  Ci LJ (Ci Lijie);  Jin CH (Jin Chuanhong);  Tan PH (Tan Pingheng);  Sun LF (Sun Lianfeng);  Ma WJ (Ma Wenjun);  Liu LF (Liu Lifeng);  Liu DF (Liu Dongfang);  Zhang ZX (Zhang Zengxing);  Xiang YJ (Xiang Yanjuan);  Luo SD (Luo Shudong);  Zhao XW (Zhao Xiaowei);  Shen J (Shen Jun);  Zhou JJ (Zhou Jianjun);  Zhou WY (Zhou Weiya);  Xie SS (Xie Sishen);  Xie, SS, Chinese Acad Sci, Inst Phys, Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys, POB 603, Beijing 100080, Peoples R China. E-mail: ssxie@aphy.iphy.ac.cn
Adobe PDF(1175Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：976/307  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ye ZC;  Han PD;  Zhao CH;  Wang HJ;  Wu L;  Quan YJ;  Lu XD;  Hu XW;  Ye, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Qinghua E Rd,Jia 35, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yzhch@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(2616Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：919/207  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang SM;  Gu QF;  Wei YQ;  Sadeghi M;  Larsson A;  Zhao QX;  Wang XD;  Ma CH;  Xing ZG;  Wang, SM, Chalmers Univ Technol, Dept Microtechnol & Nanosci, S-41296 Gothenburg, Sweden. 电子邮箱地址: shumin.wang@mc2.chalmers.se
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ling CC;  Mui WK;  Lam CH;  Beling CD;  Fung S;  Lui MK;  Cheah KW;  Li KF;  Zhao YW;  Gong M;  Ling CC,Univ Hong Kong,Dept Phys,Pokfulam Rd,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China. 电子邮箱地址: ccling@hku.hk
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Strain relaxation of GeSi alloy with low dislocation density grown on low-temperature Si buffers 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:  Peng CS;  Chen H;  Zhao ZY;  Li JH;  Dai DY;  Huang Q;  Zhou JM;  Zhang YH;  Tung CH;  Sheng TT;  Wang J;  Peng CS Chinese Acad Sci Inst Phys POB 603 Beijing 100080 Peoples R China.
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