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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [11]
作者
韩伟华 [1]
刘剑 [1]
梁平 [1]
文献类型
专利 [6]
期刊论文 [5]
发表日期
2007 [11]
语种
中文 [9]
英语 [2]
出处
APPLIED PH... [1]
CHINESE PH... [1]
光子学报 [1]
光学技术 [1]
半导体学报 [1]
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发表日期:2007
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10
15
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35
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45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
制备网状纳米阵列铁磁性薄膜的物理气相沉积方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
戴瑞烜
;
陈诺夫
;
彭长涛
;
王鹏
Adobe PDF(499Kb)
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浏览/下载:1328/192
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提交时间:2009/06/11
用于半导体激光器中光栅制作的腐蚀液及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-11-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
付生辉
;
钟源
;
陈良惠
Adobe PDF(395Kb)
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浏览/下载:1020/180
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提交时间:2009/06/11
波长为852nm的分布反馈激光器的结构和制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-11-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
付生辉
;
钟源
;
陈良惠
Adobe PDF(712Kb)
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收藏
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浏览/下载:1105/169
  |  
提交时间:2009/06/11
光子晶体的自准直光束的分束器与分束方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈海波
;
李兆峰
;
陈建军
;
杨富华
;
封松林
;
郑厚植
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浏览/下载:1171/168
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提交时间:2009/06/11
通过注氧进行量子限制的硅基单电子晶体管及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
韩伟华
;
张扬
;
刘剑
;
杨富华
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浏览/下载:1074/159
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提交时间:2009/06/11
光电容法确定半导体量子点电荷密度的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李桂荣
;
郑厚植
;
杨富华
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浏览/下载:876/144
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sheng, Q
;
Xing-Wang, Z
;
Zhi-Gang, Y
;
Jing-Bi, Y
;
Nuo-Fu, C
;
Sheng, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Keyl Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@semi.ac.cn
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浏览/下载:854/161
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gan QQ (Gan, Qiaoqiang)
;
Guo BS (Guo, Baoshan)
;
Song GF (Song, Guofeng)
;
Chen LG (Chen, Lianghui)
;
Fu Z (Fu, Zhan)
;
Ding YJ (Ding, Yujie J.)
;
Bartoli FJ (Bartoli, Filbert J.)
;
Gan, QQ, Lehigh Univ, Dept Elect & Comp Engn, Bethlehem, PA 18015 USA. 电子邮箱地址: qig206@lehigh.edu
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浏览/下载:988/284
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
江鹏飞
;
周燕
;
谢福增
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浏览/下载:857/271
  |  
提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
白一鸣
;
陈诺夫
;
彭长涛
;
梁平
Adobe PDF(427Kb)
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浏览/下载:927/330
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提交时间:2010/11/23