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集成Ge2Sb2Te5相变栅的无结硅纳米线晶体管研究 学位论文
工学硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  葛延栋
Adobe PDF(16561Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：230/0  |  提交时间：2023/07/03
GaN和GaSb基稀磁半导体、肖特基结的制备及其性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  陶东言
Adobe PDF(5924Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：837/36  |  提交时间：2015/05/29
稀磁半导体  Gan  Gasb  表面钝化  肖特基器件  
飞秒激光光刻技术制备T型栅AiGaN/GaN_HEMT的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  杜彦东
Adobe PDF(2344Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1035/63  |  提交时间：2012/06/25