×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [2]
作者
文献类型
会议论文 [2]
发表日期
2004 [1]
2003 [1]
语种
英语 [2]
出处
2004 7TH I... [1]
MICROELECT... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [2]
资助机构
Chinese In... [1]
Chinese Ma... [1]
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
帮助
限定条件
收录类别:CPCI\-S
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
作者升序
作者降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
Hetero-epitaxial growth of ZnO films on silicon by low-pressure metal organic chemical vapor deposition
会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:
Wang, QY
;
Shen, WJ
;
Wang, J
;
Wang, JH
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Wang, QY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(175Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1251/210
  |  
提交时间:2010/03/29
Ultraviolet-laser Emission
Thin-films
Zinc-oxide
Room-temperature
Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth
会议论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 66 (1-4), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Zhang ZC
;
Ren BY
;
Chen YH
;
Yang SY
;
Wang ZG
;
Zhang ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(389Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1322/254
  |  
提交时间:2010/11/15
Czochralski Method
Growth From Melt
Semiconductor Silicon
Argon Gas Flow
Computer Simulation
Oxygen Content
Furnace Pressure