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锑化镓和砷化铟衬底的抛光损伤及晶格完整性研究 学位论文
工学硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  冯银红
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低位错III-V族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  周媛
Adobe PDF(5304Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：390/7  |  提交时间：2021/06/18
InAs单晶位错和杂质条纹的识别及相关材料性质研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  孙静
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡炜杰;  赵有文;  段满龙;  王应利;  王俊
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵有文;  孙文荣;  段满龙;  董志远;  杨子祥;  吕旭如;  王应利
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一种制备InAs室温铁磁性半导体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241700.9, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  朱峰;  李京波
Adobe PDF(295Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1176/167  |  提交时间：2011/08/30