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| 锑化镓和砷化铟衬底的抛光损伤及晶格完整性研究 学位论文
工学硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者: 冯银红
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| 低位错III-V族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 周媛
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| III-V族半导体纳米线及其异质结的可控生长和性能表征 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2018
作者: 季祥海
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Iii-v族半导体纳米线 异质结纳米线 自催化生长机制 金属有机化学气相沉积 |
| 反转型InAs/GaSb量子阱结构电子迁移率及异质结红外光电晶体管研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者: 黄文军
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Inas/gasb二类超晶格 反转型量子阱结构 电子迁移率 异质结光电晶体管 双色 |
| Si基InAsSb纳米线MOCVD生长及机理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 杜文娜
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Inassb纳米线 生长机制 平面纳米线 纳米线阵列 金属有机化学气相沉积 |
| GaSb单晶衬底表面形貌及残留缺陷研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者: 程雨
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锑化镓（gasb） 化学机械抛光 二次离子质谱（sims） Xps 表面形貌 |
| 无权访问的条目 学位论文
作者: 王小耶
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