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GaN和GaSb基稀磁半导体、肖特基结的制备及其性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  陶东言
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稀磁半导体  Gan  Gasb  表面钝化  肖特基器件  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chao Liu;  Xingguo Gao;  Dongyan Tao;  Junxi Wang;  Yiping Zeng
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiaolei Wang;  Hailong Wang;  Dong Pan;  Timothy Keiper;  Lixia Li;  Xuezhe Yu;  Jun Lu;  Eric Lochner;  Stephan von Molná r;  Peng Xiong;  Jianhua Zhao
Adobe PDF(1757Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：247/2  |  提交时间：2016/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xingguo Gao;  Chao Liu;  Dongyan Tao;  Yiping Zeng
Adobe PDF(396Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：259/1  |  提交时间：2016/04/08