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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
Zhang XY (Zhang Xinyu)
;
Li H (Li Hui)
;
Liu K (Liu Kan)
;
Luo J (Luo Jun)
;
Xie CS (Xie Changsheng)
;
Ji A (Ji An)
;
Zhang TX (Zhang Tianxu)
;
Zhang, XY, Huazhong Univ Sci & Technol, Wuhan Natl Lab Optoelect, Wuhan 430074, Hubei Province, Peoples R China. 电子邮箱地址: x_yzhang@yahoo.com.cn
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提交时间:2010/11/02
Correlation Between Lattice Strain and Energy Gap Bowing of AlxGa1-xN Epitaxial Thin Films
会议论文
MATERIALS RESEARCH, Chongqing, PEOPLES R CHINA, JUN 09-12, 2008
作者:
Zhao L
;
Lu ZX
;
Cheng CJ
;
Zhao DG
;
Zhu JJ
;
Sun BJ
;
Qu B
;
Zhang XF
;
Sun WG
;
Zhao, L, Luoyang Optoelect Inst, Luoyang, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Alxga1-xn
Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD
会议论文
JOURNAL OF RARE EARTHS, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 16-19, 2005
作者:
Fang, CB
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Li, JM
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Mocvd