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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gai YQ;  Li JB;  Yao B;  Xia JB;  Gai YQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jbli@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang ZG;  Gao F;  Li JB;  Zu XT;  Weber WJ;  Wang ZG Univ Elect Sci & Technol China Dept Appl Phys Chengdu 610054 Peoples R China. E-mail Address: zgwang@uestc.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fang, ZJ;  Shi, LJ;  Liu, YH;  Fang, ZJ, China Univ Mining & Technol, Sch Mech & Civil Engn, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: nnfang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng, H;  Peng, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: mypen-cn@semi.ac.cn
Adobe PDF(184Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1034/442  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  占荣;  赵有文;  于会永;  高永亮;  惠峰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fang CB (Fang Cebao);  Wang XL (Wang Xiaoliang);  Xiao HL (Xiao Hongling);  Hu GX (Hu Guoxin);  Wang CM (Wang Cuimei);  Wang XY (Wang Xiaoyan);  Li JP (Li Jianping);  Wang JX (Wang Junxi);  Li CJ (Li Chengji);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Li JM (Li Jinmin);  Wang ZG (Wang Zanguo);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui LJ (Cui L. J.);  Zeng YP (Zeng Y. P.);  Wang BQ (Wang B. Q.);  Zhu ZP (Zhu Z. P.);  Cui, LJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ljcui@red.semi.ac.cn
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Recent research results on deep level defects in semi-insulating InP - Application to improve material quality 会议论文
2006 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, Princeton, NJ, MAY 07-11, 2006
作者:  Zhao, YW (Zhao, Youwen);  Dong, ZY (Dong, Zhiyuan);  Dong, HW (Dong, Hongwei);  Sun, NF (Sun, Niefeng);  Sun, TN (Sun, Tongnian);  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Stimulated Current Spectroscopy  Current Transient Spectroscopy  Fe-doped Inp  Point-defects  Compensation  Temperature  Donors  Traps  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵有文;  董志远;  李成基;  段满龙;  孙文荣
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Improvement of the electrical property of semi-insulating InP by suppression of compensation defects 会议论文
2005 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials丛书标题: CONFERENCE PROCEEDINGS - INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS, Glasgow, SCOTLAND, MAY 08-12, 2005
作者:  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Ctr Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 10083, Peoples R China.
Adobe PDF(638Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1560/383  |  提交时间：2010/03/29
Encapsulated Czochralski Inp  Semiconductor Compound-crystals  Stimulated Current Spectroscopy  Current Transient Spectroscopy  Deep-level Defects  Annealing Ambient  Point-defects  Fe  Phosphide  Donors