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基于自旋轨道矩器件的新型计算范式研究 学位论文
理学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  兰修凯
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SiGe基半导体量子计算材料的制备与物性表征 学位论文
工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  张点点
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二维空穴气中新型线性Rashba效应及隐藏自旋极化效应的理论研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  熊嘉欣
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节线半金属中的量子输运 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  关济寰
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具有双量子点接触结构的硅基单电子器件及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩伟华;  杨香
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李新奇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡学宁;  李新奇
Adobe PDF(457Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:672/227  |  提交时间:2010/11/23