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N型注入4H-SiC脉冲激光退火激活研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  武婧敏
Adobe PDF(5212Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：314/3  |  提交时间：2022/07/15
碳化硅超级结结构关键工艺研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  田润
Adobe PDF(4990Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：452/3  |  提交时间：2021/06/17
4H-SiC UMOSFET关键工艺研发 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  刘敏
Adobe PDF(5200Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：519/21  |  提交时间：2019/11/18
脉冲激光退火制备Ni/SiC欧姆接触 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  刘敏
Adobe PDF(2348Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：817/36  |  提交时间：2016/05/26
脉冲激光退火  Sic欧姆接触  数值模拟  接触特性  
4H-SiC结型势垒肖特基（JBS）二极管的设计与研制及其关键工艺研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  王进泽
Adobe PDF(2868Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：896/49  |  提交时间：2015/06/02