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4H-SiC结型势垒肖特基(JBS)二极管的设计与研制及其关键工艺研究
王进泽
学位类型硕士
导师杨富华+王晓东+何志
2015-05-28
学位授予单位中国科学院研究生院
学位授予地点北京
学位专业电子与通信工程
学科领域半导体器件
公开日期2015-06-02
文献类型学位论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26574
专题半导体集成技术工程研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
王进泽. 4H-SiC结型势垒肖特基(JBS)二极管的设计与研制及其关键工艺研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2015.
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