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倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102243994A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  周旭亮;  于红艳;  王宝军;  潘教青;  王圩
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应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102263015A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  周旭亮;  于红艳;  王宝军;  潘教青;  王圩
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运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102244007A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  周旭亮;  于红艳;  王宝军;  潘教青;  王圩
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窄脊半导体器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2017-06-05
发明人:  杨冠卿;  梁平;  徐波;  陈涌海;  王占国
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高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-18
发明人:  周旭亮;  于红艳;  米俊萍;  潘教青;  王圩
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制备硅基砷化镓材料的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人:  周旭亮;  于红艳;  张心;  潘教青;  王圩
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