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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yan FW (Yan Fawang);  Gao HY (Gao Haiyong);  Zhang HX (Zhang Huixiao);  Wang GH (Wang Guohong);  Yang FH (Yang Fuhua);  Yan JC (Yan Jianchang);  Wang JX (Wang Junxi);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Li JM (Li, Jinmin);  Yan, FW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev Ctr Semicond Lighting Technol, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fwyan@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hao RT (Hao Ruiting);  Xu YQ (Xu Yingqiang);  Zhou ZQ (Zhou Zhiqiang);  Ren ZW (Ren Zhengwei);  Ni HQ (Ni Haiqiao);  He ZH (He Zhenhong);  Niu ZC (Niu Zhichuan);  Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yin ZG (Yin Zhigang);  Chen NF (Chen Nuofu);  Dai RX (Dai Ruixuan);  Liu L (Liu Lei);  Zhang XW (Zhang Xingwang);  Wang XH (Wang Xiaohui);  Wu JL (Wu Jinliang);  Chai CL (Chai Chunlin);  Yin, ZG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yzhg@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao HY (Gao Haiyong);  Yan FW (Yan Fawang);  Zhang HX (Zhang Huixiao);  Li JM (Li Jinmin);  Wang JX (Wang Junxi);  Yan JC (Yan Jianchang);  Gao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hygao@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng JJ;  Zhao JH;  Tan PH;  Bi JF;  Gan HD;  Niu ZC;  Wu XG;  Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jhzhao@red.semi.ac.cn
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Micro-raman investigation of defects in a 4H-SiC homoepilayer 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:  Liu, XF (Liu, X. F.);  Sun, GS (Sun, G. S.);  Li, JM (Li, J. M.);  Zhao, YM (Zhao, Y. M.);  Li, JY (Li, J. Y.);  Wang, L (Wang, L.);  Zhao, WS (Zhao, W. S.);  Luo, MC (Luo, M. C.);  Zeng, YP (Zeng, Y. P.);  Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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Micro-raman  4h-sic  Defects  3c-inclusions  Triangle-shaped Inclusion  Epitaxial Layers  Silicon-carbide  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei TB (Wei Tong-Bo);  Ma P (Ma Ping);  Duan RF (Duan Rui-Fei);  Wang JX (Wang Jun-Xi);  Li JM (Li Jin-Min);  Zeng YP (Zeng Yi-Ping);  Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tbwei@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Song SF (Song Shu-Fan);  Chen WD (Chen Wei-De);  Xu ZJ (Xu Zhen-Jia);  Xu XR (Xu Xu-Rong);  Song, SF, Beijing Jiaotong Univ, Inst Optoelect Technol, Beijing 100044, Peoples R China. 电子邮箱地址: sfsong@center.njtu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tan, PH (Tan, P. H.);  Zhang, J (Zhang, J.);  Wang, XC (Wang, X. C.);  Zhang, GY (Zhang, G. Y.);  Wang, EG (Wang, E. G.);  Tan, PH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: pt290@eng.cam.ac.uk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  宋淑芳;  陈维德;  许振嘉;  徐叙瑢
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