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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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发表日期
2005 [23]
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
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发表日期:2005
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期刊论文
作者:
Chang H
;
Rao G
;
Liang J
;
Guo Y
;
Liu S
;
Du H
;
Chang, H, Chinese Acad Sci, Inst Phys, Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys, Beijing 100080, Peoples R China. 电子邮箱地址: ghrao@aphy.iphy.ac.cn
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Du J
;
Liang XY
;
Wang YG
;
Su LB
;
Feng WW
;
Dai EW
;
Xu ZZ
;
Xu J
;
Du, J, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Opt & Fine Mech, State Key Lab High Field Laser Phys, Shanghai 201800, Peoples R China. 电子邮箱地址: dujuan@mail.siom.ac.cn
;
liangxy@mail.siom.ac.cn
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Cai XH
;
Zheng WH
;
Ma XT
;
Ren G
;
Xia JB
;
Cai, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: caixianghua@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Cai XH
;
Zheng WH
;
Ma XT
;
Ren G
;
Xia JB
;
Cai, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: caixianghua@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Peng, WQ
;
Qu, SC
;
Cong, GW
;
Wang, ZG
;
Peng, WQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wqpeng@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xu XS
;
Wang YQ
;
Chen HD
;
Cheng BY
;
Zhang DZ
;
Xu, XS, Chinese Acad Sci, Inst Phys, Opt Phys Lab, POB 603, Beijing 100080, Peoples R China. 电子邮箱地址: xsxu@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Peng CT
;
Chen NF
;
Wu JL
;
Yin ZG
;
Yu Y
;
Peng, CT, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ctpeng@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
Improvement of the electrical property of semi-insulating InP by suppression of compensation defects
会议论文
2005 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials丛书标题: CONFERENCE PROCEEDINGS - INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS, Glasgow, SCOTLAND, MAY 08-12, 2005
作者:
Zhao, YW
;
Dong, ZY
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Ctr Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 10083, Peoples R China.
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浏览/下载:1535/383
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提交时间:2010/03/29
Encapsulated Czochralski Inp
Semiconductor Compound-crystals
Stimulated Current Spectroscopy
Current Transient Spectroscopy
Deep-level Defects
Annealing Ambient
Point-defects
Fe
Phosphide
Donors
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ye, ZC
;
Zheng, J
;
Wang, ZA
;
Liu, DH
;
Liu, DH, Beijing Normal Univ, Dept Phys, Beijing 100875, Peoples R China. 电子邮箱地址: dhliu@bnu.edu.cn
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浏览/下载:1027/358
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen J
;
Wang JF
;
Zhang JC
;
Wang H
;
Huang Y
;
Wang YT
;
Yang H
;
Jia QJ
;
Chen, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jchen@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11