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| 一种双色量子阱红外探测器面阵的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 苏艳梅; 种明; 赵伟
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| 一种高可靠性980nm大功率量子阱半导体激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王俊; 马骁宇
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| 一种高光功率密度808nm大功率量子阱半导体激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王俊; 马骁宇
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| 制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 潘教青 ; 赵谦; 王圩; 朱洪亮
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| 蓝光、黄光量子阱堆叠结构白光发光二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郭伦春; 王晓亮; 王军喜; 肖红领; 曾一平; 李晋闽
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| 纳米半导体技术 专著
北京:化学工业出版社, 2006
作者: 王占国; 陈涌海; 叶小玲
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| 中国材料工程大典—信息功能材料工程 专著
北京:化学工业出版社, 2006
作者: 王占国; 陈立泉; 屠海令
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| GaAs 基1.3-1.55μm GaInNAs(Sb)量子阱及激光器、探测器的分子束外延生长 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者: 张石勇
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| 量子阱子带间跃迁及相关物理特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者: 李杰民
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| 大功率650 nm 波段AlGaInP/GaInP 应变量子阱半导体激光器的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者: 郑凯
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