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1.3 μm波段InP基高速直接调制InGaAlAs量子阱激光器研究 学位论文
工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  朱旭愿
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4H-SiC的外延生长及后处理工艺的研究 学位论文
工程硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  陈俊宏
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氧化镓肖特基二极管模拟及材料表征分析 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  李志鹏
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GaN和GaSb基稀磁半导体、肖特基结的制备及其性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  陶东言
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稀磁半导体  Gan  Gasb  表面钝化  肖特基器件  
GaN HEMT材料的MOCVD生长及新结构研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  崔磊
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