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基于键合工艺的Si/SiC界面特性研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
Authors:  王风旋
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4H-SiC基AlN栅介质原子层沉积生长研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
Authors:  陈俊
Adobe PDF(13269Kb)  |  Favorite  |  View/Download:235/8  |  Submit date:2019/11/19