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硅的反常空穴迁移率起源及高空穴迁移率的设计原理 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  杨巧林
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半导体材料磁性和光学性质的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2009
作者:  石丽洁
Adobe PDF(2666Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1347/42  |  提交时间：2009/07/09
P型透明导电氧化物