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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [4]
作者
李贵柯 [1]
刘剑 [1]
文献类型
会议论文 [4]
发表日期
2008 [2]
2006 [1]
2005 [1]
语种
英语 [4]
出处
2008 2ND I... [2]
2005 Inter... [1]
2006 1st I... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [3]
其他 [1]
资助机构
IEEE. [4]
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
Low Temperature Deposited Nano-structured Vanadium Oxide Thin Films for Uncooled Infrared Detectors
会议论文
2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, MAR 24-27, 2008
作者:
Li GK
;
Wang XD
;
Liang JR
;
Ji A
;
Hu M
;
Yang F
;
Liu J
;
Wu NJ
;
Chen HD
;
Li, GK, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1707/420
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提交时间:2010/03/09
Characterization of self-organized InAs/GaAs quantum dots under strain-induced and temperature-controlled nucleation mechanisms by atomic force microscopy and photoluminescence spectroscopy
会议论文
2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, MAR 24-27, 2008
作者:
Liang, LY
;
Ye, XL
;
Jin, P
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
;
Liang, LY, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Induced Refractive-index
Growth
Lasers
Gaas
Synthesis of GaN nanorods with vertebra-like morphology
会议论文
2006 1st IEEE International Conference on Nano/Micro Engineered and Molecular Systems, Zhuhai, PEOPLES R CHINA, JAN 18-21, 2006
作者:
Gao, HY (Gao, Haiyong)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
;
Gao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Dept, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Gan Nanorods
Ga2o3/zno Films
Nitritding
Morphology
Chemical-vapor-deposition
Films
Improvement of the electrical property of semi-insulating InP by suppression of compensation defects
会议论文
2005 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials丛书标题: CONFERENCE PROCEEDINGS - INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS, Glasgow, SCOTLAND, MAY 08-12, 2005
作者:
Zhao, YW
;
Dong, ZY
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Ctr Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 10083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Encapsulated Czochralski Inp
Semiconductor Compound-crystals
Stimulated Current Spectroscopy
Current Transient Spectroscopy
Deep-level Defects
Annealing Ambient
Point-defects
Fe
Phosphide
Donors