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无权访问的条目 学位论文
作者:  王蕴玉
Adobe PDF(5955Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2019/11/12
InGaN量子阱及薄膜材料特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:  刘炜
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Ingan  量子阱  薄膜  极化效应  局域态  本底载流子浓度  
无权访问的条目 学位论文
作者:  黎星云
Adobe PDF(12845Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：356/7  |  提交时间：2017/06/05
硅基锗材料的异质外延及高效发光器件研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  何超
Adobe PDF(7728Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：830/54  |  提交时间：2016/06/02
Si 基发光器件  Ge/si 量子点  Ge/sige 量子阱  Ge 薄膜  
绿光InGaN/GaN多量子阱发光特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  刘炜
Adobe PDF(3916Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1051/66  |  提交时间：2016/06/01
表面等离子体调制底发射垂直腔面发射激光器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  祝希
Adobe PDF(2299Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1290/72  |  提交时间：2015/06/04
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng J;  Zuo YH;  Wang W;  Tao YL;  Xue CL;  Cheng BW;  Wang QM;  Zheng, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, A35 QingHua E Rd, Beijing 100083, Peoples R China. zhengjun@semi.ac.cn
Adobe PDF(310Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1608/303  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng J;  Tao YL;  Wang W;  Zhang LZ;  Zuo YH;  Xue CL;  Cheng BW;  Wang QM;  Zheng, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. zhengjun@semi.ac.cn
Adobe PDF(243Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1716/370  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Rui YJ;  Li SX;  Xu J;  Song C;  Jiang XF;  Li W;  Chen KJ;  Wang QM;  Zuo YH;  Rui, YJ (reprint author), Nanjing Univ, Sch Elect Sci & Engn, Nanjing 210093, Peoples R China, junxu@nju.edu.cn
Adobe PDF(1272Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1094/303  |  提交时间：2012/02/06
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, Jiashun;  Wang, Yue;  Wu, Yuanda;  Zhang, Xiaoguang;  Jiang, Ting;  An, Junming;  Li, Jianguang;  Wang, Hongjie;  Hu, Xiongwei;  Wu, Y.(wuyuanda@red.semi.ac.cn)
Adobe PDF(502Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：975/163  |  提交时间：2012/06/13