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未钝化的中波InAs/GaSb二类超晶格红外光电探测器暗 电流机制的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者:  李琼
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Inas/gasb二类超晶格  红外探测器  暗电流  中波  
亚波长自聚焦的径向偏振垂直腔面发射激光器及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-15
发明人:  宋国峰;  蔡利康;  王青;  韦欣
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近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人:  李琼;  马文全;  张艳华;  黄建亮
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