SEMI OpenIR  > 纳米光电子实验室
亚波长自聚焦的径向偏振垂直腔面发射激光器及制备方法
宋国峰; 蔡利康; 王青; 韦欣
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-08-15
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2012-04-17
申请号CN201210112700.0
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25319
专题纳米光电子实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
宋国峰,蔡利康,王青,等. 亚波长自聚焦的径向偏振垂直腔面发射激光器及制备方法.
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亚波长自聚焦的径向偏振垂直腔面发射激光器(284KB) 限制开放使用许可请求全文
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