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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Haina Ci;   Hongliang Chang;   Ruoyu Wang;   Tongbo Wei;   Yunyu Wang;   Zhaolong Chen;   Yuanwei Sun;   Zhipeng Dou;   Zhiqiang Liu;   Jinmin Li;   Peng Gao;   Zhongfan Liu
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shaodong, Ma;  Hongling, Peng;  Wei, Chen;  Bin, Jiang;  Wanhua, Zheng,;  Wanhua, Z.(whzheng@semi.ac.cn)
Adobe PDF(1280Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:836/279  |  提交时间:2012/06/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang YJ (Zhang Yejin);  Zheng WH (Zheng Wanhua);  Aiyi Q (Aiyi Qi);  Qu HW (Qu Hongwei);  Peng HL (Peng Hongling);  Xie SZ (Xie Shizhong);  Chen LH (Chen Lianghui);  Zhang, YJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nanooptoelect Lab, Beijing 100083, Peoples R China. yjzhang@semi.ac.cn;  whzheng@semi.ac.cn;  qiaiyi@semi.ac.cn;  quhw@semi.ac.cn;  hlpeng@semi.ac.cn;  xsz-dee@tsinghua.edu.cn;  chenlh@semi.ac.cn
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High brightness InAs/GaAs quantum dot tapered laser at 1.3 mu m with high temperature stability 会议论文
Proceedings of SPIE-The International Society for Optical Engineering vol.7844: Art. No. 784404 2010, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-19, 2010
作者:  Cao YL (Cao Yu-Lian);  Xu PF (Xu Peng-fei);  Ji HM (Ji Hai-Ming);  Yang T (Yang Tao);  Chen LH (Chen Liang-Hui)
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基于TCO薄膜和键合技术的太阳能电池 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196135.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  马绍栋;  郑婉华;  陈微;  周文君;  刘安金;  彭红玲
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基于刻蚀技术的SIS结太阳能电池 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102163638A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  马绍栋;  付非亚;  王宇飞;  王海玲;  彭红玲;  郑婉华
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一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102110595A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  郑婉华;  彭红玲;  渠宏伟;  马绍栋
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一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102110594A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  彭红玲;  郑婉华;  石岩;  马绍栋
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一种制备大厚度周期极化铁电晶体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102321920A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  郑婉华;  马传龙;  范学东;  渠红伟;  彭红玲;  王海玲;  马绍栋
Adobe PDF(574Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1236/324  |  提交时间:2012/09/09
非对称Au粒子阵列和FP腔耦合的折射率传感器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人:  宋国峰;  张祖银;  胡海峰;  王丽娜;  马勋鹏;  李康文
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