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| 水汽探测用激光芯片的制造方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102364771A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 于红艳; 周旭亮; 邵永波; 王宝军; 潘教青; 王圩
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| 光伏型InAs量子点红外探测器结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910242347.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 唐光华; 徐波; 叶小玲 ; 金鹏 ; 刘峰奇; 陈涌海; 王占国; 姜立稳; 孔金霞 ; 孔宁
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| 一种调节GaAs基二维光子晶体微腔共振模式的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910083495.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 彭银生; 徐波; 叶小玲 ; 王占国
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| InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010591575.7, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孔金霞; 徐波; 王占国
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| 一种测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910081986.9, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 彭银生; 徐波; 叶小玲 ; 王占国
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| 用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910081987.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 刘王来; 叶小玲 ; 徐波 ; 王占国
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| 一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102364772A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 于红艳; 周旭亮; 邵永波; 王宝军; 潘教青; 王圩
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| 倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102243994A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 周旭亮; 于红艳; 王宝军; 潘教青; 王圩
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| 应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102263015A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 周旭亮; 于红艳; 王宝军; 潘教青; 王圩
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| 运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102244007A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 周旭亮; 于红艳; 王宝军; 潘教青; 王圩
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