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4H-SiC的外延生长及后处理工艺的研究 学位论文
工程硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  陈俊宏
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InGaN厚膜的生长与物性表征 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  柴若皓
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无权访问的条目 学位论文
作者:  陈昌禧
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4H-SiC功率MOSFET研制 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  倪炜江
Adobe PDF(12730Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：792/16  |  提交时间：2020/09/22
无权访问的条目 学位论文
作者:  于天
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AlGaN/GaN HEMT 功率开关器件漏电与陷阱效应研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  郝美兰
Adobe PDF(13279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：640/21  |  提交时间：2018/06/14