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| 在金属衬底上生长ZnO薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 崔军朋; 段垚; 王晓峰; 曾一平
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| 在Si衬底上生长ZnO薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 崔军朋; 段垚; 王晓峰; 曾一平
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| 氧化物的化学气相沉积制备装置及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 段垚; 王晓峰; 崔军朋; 曾一平
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| ZnO厚膜的金属源气相外延生长 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者: 段垚
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yao Y; Wu J; Shi Y; Dai FF; Yao Y Auburn Univ Dept Elect & Comp Engn Auburn AL 36849 USA. E-mail Address: yaoyuan@auburn.edu; wujie@vimicro.com; yshi@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 朱从义; 张耀辉; 石寅
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| 高纯氧化锌的化学气相沉积装置及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓峰; 段垚; 崔军朋; 曾一平
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| 一种异质结双极晶体管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 姚飞; 薛春来 ; 成步文; 王启明
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| 半导体应变弛豫材料的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 成步文; 姚飞; 薛春来; 张建国; 左玉华; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 姚潇; 武妍; 王守觉
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