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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
纳米光电子实验室 [15]
作者
张艳华 [1]
蔡利康 [1]
文献类型
专利 [11]
期刊论文 [4]
发表日期
2011 [1]
2010 [3]
语种
中文 [11]
英语 [4]
出处
CHINESE PH... [2]
APPLIED PH... [1]
JOURNAL OF... [1]
资助项目
收录类别
SCI [4]
资助机构
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专题:纳米光电子实验室
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yu X
;
Gu YX
;
Wang Q
;
Wei X
;
Chen LH
;
Wang, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nanooptoelect Lab, Beijing 100083, Peoples R China. wangqing@mail.semi.ac.cn
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浏览/下载:1362/393
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提交时间:2011/07/06
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen X (Chen Xi)
;
Zhong YA (Zhong Yuan)
;
Wang Q (Wang Qing)
;
Zhang YJ (Zhang Ye-Jin)
;
Chen LH (Chen Liang-Hui)
;
Chen, X, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nanooptoelect Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: chenxi@semi.ac.cn
Adobe PDF(1594Kb)
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浏览/下载:1080/280
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提交时间:2010/11/02
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Huo YH (Huo Y. H.)
;
Ma WQ (Ma W. Q.)
;
Zhang YH (Zhang Y. H.)
;
Chen LH (Chen L. H.)
;
Shi YL (Shi Y. L.)
;
Ma, WQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: wqma@semi.ac.cn
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浏览/下载:1145/344
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提交时间:2010/09/07
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang YJ (Zhang Yejin)
;
Zheng WH (Zheng Wanhua)
;
Aiyi Q (Aiyi Qi)
;
Qu HW (Qu Hongwei)
;
Peng HL (Peng Hongling)
;
Xie SZ (Xie Shizhong)
;
Chen LH (Chen Lianghui)
;
Zhang, YJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nanooptoelect Lab, Beijing 100083, Peoples R China. yjzhang@semi.ac.cn
;
whzheng@semi.ac.cn
;
qiaiyi@semi.ac.cn
;
quhw@semi.ac.cn
;
hlpeng@semi.ac.cn
;
xsz-dee@tsinghua.edu.cn
;
chenlh@semi.ac.cn
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浏览/下载:1484/488
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提交时间:2010/12/05
环形腔光子晶体垂直腔面发射激光器
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081989.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
郑婉华
;
刘安金
;
邢名欣
;
渠宏伟
;
周文君
;
陈微
;
陈良惠
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浏览/下载:1654/222
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提交时间:2011/08/31
两端结构中长波同时响应量子阱红外探测器及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081985.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
霍永恒
;
马文全
;
种明
;
张艳华
;
陈良惠
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浏览/下载:1504/207
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提交时间:2011/08/31
一种制备具有稳定偏振输出的垂直腔面发射激光器的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196119.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
宋国峰
;
蔡利康
;
王青
;
陈良惠
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浏览/下载:1459/238
  |  
提交时间:2011/08/31
低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910080069.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
林孟喆
;
曹青
;
颜庭静
;
陈良惠
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浏览/下载:1498/209
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提交时间:2011/08/31
一种横磁偏振光子晶体慢光效应半导体光放大器
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010277684.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
张冶金
;
郑婉华
;
渠红伟
;
邢名欣
;
陈良惠
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浏览/下载:1316/188
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提交时间:2011/08/31
电压调制型中长波双色量子阱红外探测器及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081984.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:
霍永恒
;
马文全
;
种明
;
张艳华
;
陈良惠
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浏览/下载:1353/140
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提交时间:2011/08/31