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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ji Gang;  Sun Guosheng;  Liu Xingfang;  Wang Lei;  Zhao Wanshun;  Zeng Yiping;  Li Jinmin
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基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵永梅;  孙国胜;  刘兴昉;  李家业;  王雷;  赵万顺;  李晋闽;  曾一平
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用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘兴昉;  孙国胜;  李晋闽;  赵永梅;  王雷;  赵万顺;  李家业;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang Liang;  Zhao Yongmei;  Ning Jin;  Sun Guosheng;  Wang Lei;  Liu Xingfang;  Zhao Wanshun;  Zeng Yiping;  Li Jinmin
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li Jiaye;  Zhao Yongmei;  Liu Xingfang;  Sun Guosheng;  Luo Muchang;  Wang Lei;  Zhao Wanshun;  Zeng Yiping;  Li Jinmin
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  SUN Guosheng;  WANG Lei;  GONG Quancheng;  GAO Xin;  LIU Xingfang;  ZENG Yiping;  LI JinminL
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  SUN Guosheng;  NING Jin;  GAO Xin;  GONG Quancheng;  WANG Lei;  LIU Xingfang;  ZENG Yiping;  LI Jinmin
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