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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang W;  Ji Y;  Luo HH;  Ruan XZ;  Wang WZ;  Zhao JH;  Ji, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨威;  姬扬;  罗海辉;  阮学忠;  王玮竹;  赵建华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou, R;  Sun, BQ;  Ruan, XZ;  Gan, HD;  Ji, Y;  Wang, WZ;  Zhao, JH;  Sun, BQ, Chinese Acad Sci, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: bqsun@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, XD;  Wang, WZ;  Gao, RX;  Zhao, JH;  Wen, JH;  Lin, WZ;  Lai, TS;  Lai, TS, Sun Yat Sen Univ, Dept Phys, State Key Lab Optoelect Mat & Technol, Guangzhou 510275, Guangdong, Peoples R China. 电子邮箱地址: stslts@mail.sysu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘晓东;  王玮竹;  高瑞鑫;  赵建华;  文锦辉;  林位株;  赖天树
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周蓉;  孙宝权;  阮学忠;  甘华东;  姬扬;  王玮竹;  赵建华
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半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王启元;  王俊;  王建华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jia, GZ;  Yao, JH;  Zhang, CL;  Shu, Q;  Liu, RB;  Ye, XL;  Wang, ZG;  Yao, JH, Nankai Univ, TEDA Appl Phys Sch, Key Lab Photon Mat & Technol Informat Sci, Key Lab Adv Tech & Fabricat Weak Light Nonlinear, Tianjin 300475, Peoples R China. 电子邮箱地址: yaojh@nankai.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  贾国治;  姚江宏;  张春玲;  舒强;  刘如彬;  叶小玲;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘国梁;  姚江宏;  许京军;  王占国
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