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具有布拉格反射器的n+/p型高抗辐照GaAs太阳电池 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  白一鸣;  陈诺夫;  戴瑞烜;  王鹏;  王晓东
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直径六英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术 成果
2007
主要完成人:  李晋闽;  曾一平;  惠峰;  卜俊鹏;  王文军;  郑红军;  孙红方
收藏  |  浏览/下载：2137/0  |  提交时间：2010/04/13
六英寸半绝缘砷化镓单晶  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  白一鸣;  陈诺夫;  彭长涛;  梁平
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