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半导体可饱和吸收镜及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王翠鸾;  王勇刚;  林涛;  王俊;  郑凯;  冯小明;  仲莉;  马杰慧;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma RM (Ma R. M.);  Dai L (Dai L.);  Huo HB (Huo H. B.);  Yang WQ (Yang W. Q.);  Qin GG (Qin G. G.);  Tan PH (Tan P. H.);  Huang CH (Huang C. H.);  Zheng J (Zheng J.);  Dai, L, Peking Univ, Sch Phys, Beijing 100871, Peoples R China. E-mail: lundai@pku.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu XG (Wu X. G.);  Xu LJ (Xu L. J.);  Zheng HZ (Zheng H. Z.);  Wu, XG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李雪;  陈俊;  何政;  赵德刚;  龚海梅;  方家熊
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