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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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成果 [1]
发表日期
2006 [35]
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共35条,第1-10条
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发表日期:2006
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10
15
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25
30
35
40
45
50
55
60
65
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80
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95
100
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具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
丁颖
;
王圩
;
潘教青
;
王宝军
;
陈娓兮
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浏览/下载:1511/181
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提交时间:2009/06/11
窄条选择外延技术制作铝铟镓砷掩埋脊波导激光器及方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
冯文
;
潘教青
;
赵玲娟
;
朱洪亮
;
王圩
Adobe PDF(1004Kb)
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浏览/下载:1165/151
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提交时间:2009/06/11
制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
潘教青
;
赵谦
;
王圩
;
朱洪亮
Adobe PDF(573Kb)
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浏览/下载:1197/173
  |  
提交时间:2009/06/11
基于级联电吸收调制器产生超短光脉冲的测试夹具及方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵谦
;
潘教青
;
王圩
Adobe PDF(525Kb)
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浏览/下载:1025/140
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提交时间:2009/06/11
一种产生超短光脉冲的单片集成器件的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵谦
;
潘教清
;
周帆
;
王宝军
;
王圩
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浏览/下载:1808/181
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提交时间:2009/06/11
基于电吸收调制器光开关技术产生超短光脉冲的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
潘教清
;
赵谦
;
王圩
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浏览/下载:1052/133
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao Q
;
Pan JQ
;
Zhang J
;
Zhou GT
;
Wu J
;
Zhou F
;
Wang BJ
;
Wang LF
;
Wang W
;
Zhao, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Res Ctr Optoelect Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: qzhao@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1364/293
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提交时间:2010/04/11
半导体光电子功能材料集成技术平台
成果
2006
主要完成人:
王圩
;
朱红亮
;
赵玲娟
;
周帆
;
潘教青
;
王宝军
;
边静
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浏览/下载:2737/0
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提交时间:2010/04/13
电子功能材料
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Jin P (Jin Peng)
;
Pan SH (Pan S. H.)
;
Li YG (Li Y. G.)
;
Zhang CZ (Zhang C. Z.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
;
Jin, P, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: pengjin@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1203/365
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang SJ (Wang Shoujue)
;
Cao WM (Cao Wenming)
;
Pan XX (Pan Xiaoxia)
;
Wang, SJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:687/147
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提交时间:2010/04/11