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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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Pressure behavior of Te isoelectronic centers in S-rich ZnS1-xTex alloy
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 235 (2), GUILDFORD, ENGLAND, AUG 05-08, 2002
作者:
Li GH
;
Fang ZL
;
Su FH
;
Ma BS
;
Ding K
;
Han HX
;
Sou IK
;
Ge WK
;
Li GH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Optical-absorption
Zns-te
Transition
Edge
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期刊论文
作者:
Su FH
;
Fang ZL
;
Ma BS
;
Ding K
;
Li GH
;
Chen W
;
Li GH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: ghli@red.semi.ac.cn
;
wchen@nomadics.com
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xiang B
;
Zhang HZ
;
Li GH
;
Yang FH
;
Su FH
;
Wang RM
;
Xu J
;
Lu GW
;
Sun XC
;
Zhao Q
;
Yu DP
;
Yu DP,Peking Univ,Sch Phys,State Key Lab Mesoscop Phys,Beijing 100871,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
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期刊论文
作者:
Li GH
;
Fang ZL
;
Su FH
;
Ma BS
;
Ding K
;
Han HX
;
Sou IK
;
Ge WK
;
Li GH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
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期刊论文
作者:
Ma BS
;
Fang ZL
;
Su FH
;
Ding K
;
Han HX
;
Li GH
;
Ma BS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
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期刊论文
作者:
殷景志
;
刘素萍
;
刘宗顺
;
王新强
;
殷宗友
;
李正庭
;
杨树人
;
杜国同
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提交时间:2010/11/23