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The effect of low temperature GaAs nucleation on the growth of GaN on Silicon (001) during MOVPE process 会议论文
NITRIDE SEMICONDUCTORS, 482, BOSTON, MA, DEC 01-05, 1997
作者:  Zheng LX;  Liang JW;  Yang H;  Li JB;  Wang YT;  Xu DP;  Li XF;  Duan LH;  Hu XW;  Zheng LX Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng LX;  Yang H;  Xu DP;  Wang XJ;  Li XF;  Li JB;  Wang YT;  Duan LH;  Hu XW;  Zheng LX,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: lxzheng@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  庄婉如;  何卿华;  胡雄伟;  陈锦泰;  王志杰;  王圩
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