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二维拓扑半金属量子输运性质的理论研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者:  刘磊
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窄禁带半导体InAs量子阱的光电性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  李俊斌
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Inas/gasb异质结  背景载流子  双载流子霍尔模型  非平衡载流子寿命  时间分辨泵浦–探测反射率测量  光螺旋度依赖的光电流  
半导体纳米材料掺杂和应力调控的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  陈卉
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纳米半导体材料  本征缺陷  掺杂原子  电子性质  磁性  应变  第一性原理计算  
基于AlGaN/GaN HEMT的太赫兹波探测器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  白龙
Adobe PDF(6346Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:840/66  |  提交时间:2016/05/25