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GaN和GaSb基稀磁半导体、肖特基结的制备及其性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  陶东言
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稀磁半导体  Gan  Gasb  表面钝化  肖特基器件  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  S. Luo;  H.M. Ji;  F. Gao;  F. Xu;  X.G. Yang;  P. Liang;  T. Yang
Adobe PDF(1839Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:393/4  |  提交时间:2016/03/22
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Biwei Pan;  Dan Lu;  Limeng Zhang;  Lingjuan Zhao
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Biwei Pan;  Dan Lu;  Limeng Zhang;  Lingjuan Zhao
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yan Mi;  Liaoyong Wen;  Rui Xu;  Zhijie Wang;  Dawei Cao;  Yaoguo Fang;  Yong Lei
Adobe PDF(2133Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:216/1  |  提交时间:2016/03/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  KeFan Wang;  Pingan Liu;  Shengchun Qu;  Yuanxu Wang;  Zhanguo Wang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  J.L. Yu;  S.Y. Cheng;  Y.F. Lai;  Q. Zheng;  Y.H. Chen;  C.G. Tang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  X. Liu;  X.W. Zhang;  J.H. Meng;  Z.G. Yin;  L.Q. Zhang;  H.L. Wang;  J.L. Wu
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hongyi Zhang;  Yongheng Huo;  Klas Lindfors;  Yonghai Chen;  Oliver G. Schmidt;  Armando Rastelli;  Markus Lippitz
Adobe PDF(936Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:275/0  |  提交时间:2016/03/23