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| 用阳极氧化铝模板实现半导体材料上图形转移的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-05, 公开日期: 4003 发明人: 胡迪 Adobe PDF(598Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1202/198  |  提交时间:2010/03/19 |
| 半导体材料磁性和光学性质的第一性原理研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2009 作者: 石丽洁 Adobe PDF(2666Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1459/42  |  提交时间:2009/07/09 P型透明导电氧化物 |
| 半导体材料磁性和光学性质的第一性原理研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009 作者: 石丽洁 Adobe PDF(2666Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:921/23  |  提交时间:2009/04/13 |
| III-V族低维半导体材料偏振相关的光学性质 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009 作者: 汤晨光 Adobe PDF(1853Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1172/44  |  提交时间:2009/04/13 |
| 有机/无机复合半导体材料与体异质结太阳能电池的研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009 作者: 王智杰 Adobe PDF(2707Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1236/68  |  提交时间:2009/04/13 |
| 强磁场中二维半导体材料的磁性研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009 作者: 方诚 Adobe PDF(1072Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1241/14  |  提交时间:2009/04/13 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Lu QY; Zhang W; Wang LJ; Gao Y; Yin W; Zhang QD; Liu WF; Liu FQ; Wang ZG; Lu, QY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: fqliu@red.semi.ac.cn Adobe PDF(619Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1182/359  |  提交时间:2010/04/04 |
| TiO2纳米材料的电子结构和半导体材料的铁磁性 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009 作者: 彭浩为 Adobe PDF(9812Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1643/27  |  提交时间:2009/04/13 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Wang BZ; Wang XL; Wang BZ Hebei Univ Sci & Technol Inst Informat Sci & Technol Shijiazhuang 050018 Peoples R China. E-mail Address: wangbz@semi.ac.cn Adobe PDF(470Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:862/263  |  提交时间:2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Peng WB; Liu SY; Xiao HB; Zhang CS; Shi MJ; Zeng XB; Xu YY; Kong GL; Yu YD; Zeng XB Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xbzeng@semi.ac.cn; yyxu@semi.ac.cn Adobe PDF(173Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1172/352  |  提交时间:2010/03/08 |