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具有外加磁场的深能级瞬态谱测量装置与测量方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  卢励吾;  张砚华;  葛惟昆
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在Si基片上生长高密度超小型Ge量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  时文华;  李传波;  王容伟;  罗丽萍;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui CX;  Chen YH;  Jin P;  Xu B;  Ren YY;  Zhao C;  Wang ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yhchen@red.semi.ac.cn
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纳米半导体技术 专著
北京:化学工业出版社, 2006
作者:  王占国;  陈涌海;  叶小玲
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Si0.75Ge0.25/Si/Si0.5Ge0.5 超晶格平面内光学各向异性及电光效应 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:  赵雷
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao L (Zhao Lei);  Zuo YH (Zuo Yuhua);  Cheng BW (Cheng Buwen);  Yu JZ (Yu Jinzhong);  Wang QM (Wang Qiming);  Zhao, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: leizhao@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao L (Zhao L.);  Tu XG (Tu X. G.);  Zuo YH (Zuo Y. H.);  Chen SW (Chen S. W.);  Wang QM (Wang Q. M.);  Zhao, L, Chinese Acad Sci, Inst Elect Engn, Beijing 100080, Peoples R China. E-mail: zhaolei@mail.iee.ac.cn
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Homoepitaxial growth and characterization of 4H-SiC epilayers by low-pressure hot-wall chemical vapor deposition 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2005丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Pittsburgh, PA, SEP 18-23, 2005
作者:  Sun, GS (Sun, Guosheng);  Ning, J (Ning, Jin);  Gong, QC (Gong, Quancheng);  Gao, X (Gao, Xin);  Wang, L (Wang, Lei);  Liu, XF (Liu, Xingfang);  Zeng, YP (Zeng, Yiping);  Li, JM (Li, Jinmin);  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Homoepitaxial Growth  Low-pressure Hot-wall Cvd  Structural And Optical Characteristics  Intentional Doping  Schottky Barrier Diodes  
SHicon-based resonant-cavity-enhanced photodetectors 会议论文
2006 3rd IEEE International Conference on Group IV Photonics, Ottawa, CANADA, SEP 13-15, 2006
作者:  Cheng BW (Cheng Buwen);  Li CB (Li Chuanbo);  Mao RW (Mao Rongwei);  Yao F (Yao Fei);  Xue CL (Xue Chunlai);  Zhang JG (Zhang Jianguo);  Shi WH (Shi Wenhua);  Zuo YH (Zuo Yuhua);  Yu JZ (Yu Jinzhong);  Wang QM (Wang Qiming);  Cheng, BW, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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High-speed  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu J;  Kasper E;  Oehme M;  Kasper, E, Univ Stuttgart, Inst Halbleitertech, Pfaffenwaldring 47, D-70569 Stuttgart, Germany. E-mail: kasper@iht.uni-stuttgart.de
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