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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tian KK;  Liu YL;  Wang QM;  Tian, KK, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev Ctr Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tkk@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang SY;  Niu ZC;  Ni HQ;  Wu DH;  He ZH;  Sun Z;  Han Q;  Wu RH;  Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn
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Small-signal and large-signal performance test of high-speed optoelectronics devices 会议论文
SEMICONDUCTOR AND ORGANIC OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 09-11, 2004
作者:  Zhu NH;  Chen C;  Sun JW;  Pun EYB;  Chung PS;  Zhu, NH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Scattering Parameters  
Improvement of the electrical property of semi-insulating InP by suppression of compensation defects 会议论文
2005 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials丛书标题: CONFERENCE PROCEEDINGS - INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS, Glasgow, SCOTLAND, MAY 08-12, 2005
作者:  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Ctr Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 10083, Peoples R China.
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Encapsulated Czochralski Inp  Semiconductor Compound-crystals  Stimulated Current Spectroscopy  Current Transient Spectroscopy  Deep-level Defects  Annealing Ambient  Point-defects  Fe  Phosphide  Donors  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu Xiuzhen;  Liu Fengqi;  Liu Junqi;  Jin Peng;  Wang Zhanguo
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sui Xiaohong;  Liu Jinbin;  Gu Ming;  Pei Weihua;  Chen Hongda
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Niu Zhichuan;  Han Qin;  Ni Haiqiao;  Yang Xiaohong;  Xu Yingqiang;  Du Yun;  Zhang Shiyong;  Peng Hongling;  Zhao Huan;  Wu Donghai;  Li Shuying;  He Zhenhong;  Ren Zhengwei;  Wu Ronghan
Adobe PDF(459Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：953/281  |  提交时间：2010/11/23