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Room-temperature continuous-wave lasing from InAs GaAs quantum dot laser grown by molecular beam epitaxy 会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:  Gong Q;  Liang JB;  Xu B;  Wang ZG;  Gong Q Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Threshold  Operation  Layer  
Optical anisotropy of InAs submonolayer quantum wells in a (311) GaAs matrix 会议论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 123, CARDIFF, WALES, JUN 23-27, 1997
作者:  Chen YH;  Yang Z;  Wang ZG;  Xu B;  Liang JB;  Qian JJ;  Chen YH Hong Kong Univ Sci & Technol Dept Phys Clear Water Bay Kowloon Hong Kong.
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Znse/gaas Interface  States  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen YH;  Yang Z;  Wang ZG;  Xu B;  Liang JB;  Qian JJ;  Chen YH,Hong Kong Univ Sci & Technol,Dept Phys,Clear Water Bay,Kowloon,Hong Kong.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu FQ;  Wang ZG;  Xu B;  Wu J;  Qian JJ;  Liu FQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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