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| 基于 InAsSb 体材料的高工作温度红外探测器研究 学位论文 工学硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023 作者: 贾春阳 Adobe PDF(6737Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:718/4  |  提交时间:2023/07/03 |
| 氮化铝谐振式压电MEMS 加速度计研究 学位论文 , 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019 作者: 杨健 Adobe PDF(13476Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:689/14  |  提交时间:2019/11/18 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 杨其长; 徐志刚; 陈弘达; 泮进明; 魏灵玲; 刘文科; 周泓; 刘晓英; 宋昌斌 Adobe PDF(301Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1876/730  |  提交时间:2012/07/17 |
| 发光二极管封装结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102255034A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 杨华; 卢鹏志; 谢海忠; 于飞; 郑怀文; 薛斌; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(281Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1513/231  |  提交时间:2012/09/09 |
| 氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102244159A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 郑怀文; 张逸韵; 吴奎; 杨华; 李璟 Adobe PDF(327Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1536/231  |  提交时间:2012/09/09 |
| 透明电极GaN基LED结构及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910081994.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 杨华; 王晓峰; 阮军; 王国宏; 曾一平 Adobe PDF(194Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1726/240  |  提交时间:2011/08/31 |
| 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102157640A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 李璟; 王国宏; 魏同波; 张杨; 孔庆峰 Adobe PDF(301Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2054/350  |  提交时间:2012/09/09 |
| 发光二极管封装结构的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102231421A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 杨华; 卢鹏志; 谢海忠; 于飞; 郑怀文; 薛斌; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(292Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1748/274  |  提交时间:2012/09/09 |