×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [8]
作者
徐波 [3]
叶小玲 [2]
赵德刚 [1]
文献类型
会议论文 [8]
发表日期
2000 [8]
语种
英语 [8]
出处
PHYSICA E,... [2]
SIMC-XI: 2... [2]
THIN SOLID... [2]
FOURTH INT... [1]
OPTICAL IN... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [8]
资助机构
Chinese Va... [2]
IEEE Elect... [2]
Lab Semico... [2]
China Opt ... [1]
Chinese Ph... [1]
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共8条,第1-8条
帮助
限定条件
收录类别:CPCI\-S
发表日期:2000
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Tunable MQW-DBR lasers using selective area growth
会议论文
FOURTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS, 4086, SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, MAY 08-11, 2000
作者:
Liu GL
;
Wang W
;
Zhang JY
;
Chen WX
;
Xu GY
;
Zhang BJ
;
Zhou F
;
Wang XJ
;
Zhu HL
;
Liu GL Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Res Ctr Optoelect Technol POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(199Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1569/418
  |  
提交时间:2010/10/29
Selective Area Growth
Multi-quantum-well
Distributed Bragg Reflector Laser
Mocvd
Tunable Laser
Epitaxy
VCSEL based optoelectronic multiple chip modules
会议论文
OPTICAL INTERCONNECTS FOR TELECOMMUNICATION AND DATA COMMUNICATIONS, 4225, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 08-10, 2000
作者:
Chen HD
;
Liang K
;
Du Y
;
Huang YZ
;
Tiang J
;
Ma XY
;
Wu RH
;
Li SY
;
Guo WL
;
Xu GJ
;
Wang Y
;
Chen HD Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(129Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1417/289
  |  
提交时间:2010/10/29
Vcsel
Photodetector
Cmos
Mcm
Optoelectronic Integration
Optical Interconnects
Surface-emitting Lasers
Mqw Modulators
Integration
Circuits
Vlsi
Self-assembled InAs quantum wires on InP(001)
会议论文
SIMC-XI: 2000 INTERNATIONAL SEMICONDUCTING AND INSULATING MATERIALS CONFERENCE, PROCEEDINGS, CANBERRA, AUSTRALIA, JUL 03-07, 2000
作者:
Wu J
;
Zeng YP
;
Sun ZZ
;
Lin F
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Wu J Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(359Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1225/239
  |  
提交时间:2010/11/15
Short-period Superlattices
Vapor-phase Epitaxy
Gaas
Islands
State
Effect of rapid thermal annealing on electron emission and DX centers in strained InGaAs/GaAs single quantum well laser diodes
会议论文
SIMC-XI: 2000 INTERNATIONAL SEMICONDUCTING AND INSULATING MATERIALS CONFERENCE, PROCEEDINGS, CANBERRA, AUSTRALIA, JUL 03-07, 2000
作者:
Lu LW
;
Zhang YH
;
Xu ZT
;
Xu ZY
;
Wang ZG
;
Wang J
;
Ge WK
;
Lu LW Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(245Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1288/368
  |  
提交时间:2010/11/15
Influences of initial buffer layer deposition on electrical and optical properties in cubic GaN grown on GaAs(100) by metalorganic chemical vapor deposition
会议论文
THIN SOLID FILMS, 368 (2), SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, MAY 10-13, 1999
作者:
Xu DP
;
Yang H
;
Li JB
;
Li SF
;
Zhao DG
;
Wang YT
;
Sun XL
;
Wu RH
;
Xu DP Chinese Acad Sci Natl Res Ctr Optoelect Technol Inst Semicond Beijing 100864 Peoples R China.
Adobe PDF(194Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1176/252
  |  
提交时间:2010/11/15
Cubic Gan
Buffer Layer
Atomic Force Microscopy
Reflection High-energy Electron Diffraction
Movpe
Optical properties of self-assembled ternary In(GA/Al)As quantum dots on (100) and (N 1 1)B InP substrates
会议论文
PHYSICA E, 8 (2), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Sun ZZ
;
Liu FQ
;
Wu J
;
Ye XL
;
Ding D
;
Xu B
;
Liang JB
;
Wang ZG
;
Sun ZZ Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(192Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1412/262
  |  
提交时间:2010/11/15
Self-assembled Quantum Dots
Inp Substrate
High Index
Mbe
In(Ga
Molecular-beam-epitaxy
Al)as/inAlas/inp
Vapor-phase Epitaxy
Gaas
Islands
Photoluminescence
Inp(001)
Growth
Lasers
Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
会议论文
PHYSICA E, 8 (2), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Jiang WH
;
Xu HZ
;
Xu B
;
Ye XL
;
Zhou W
;
Ding D
;
Liang JB
;
Wang ZG
;
Jiang WH Chinese Acad Sci Inst Semicond Inst Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(320Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1373/285
  |  
提交时间:2010/11/15
Quantum Dots
High Index
Molecular Beam Epitaxy
Photoluminescence
Surface Segregation
Oriented Gaas
Ingaas
Islands
Wells
Disks
The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition
会议论文
THIN SOLID FILMS, 368 (2), SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, MAY 10-13, 1999
作者:
Sun XL
;
Wang YY
;
Yang H
;
Li JB
;
Zheng LX
;
Xu DP
;
Wang ZG
;
Sun XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Res Ctr Optoelect Technol Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(206Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1521/311
  |  
提交时间:2010/11/15
Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Cubic Gan
Hexagonal Phase Content
4-circle X-ray Double Crystal Diffraction
Molecular-beam Epitaxy
Gallium Nitride
Thin-films
Silicon
Gaas